碳化硅设备的研发、技术服务、生产、销售
碳化硅换热器、降膜吸收器
服务咨询热线
18057095090
电 话：18057095090
地 址：衢州市东港三路2号
碳化硅(SiC)，别称金刚砂。1891年美国人艾契逊(Acheson)发明了碳化硅的工业生产制造方法。碳化硅是以天然硅石、碳、木屑、工业盐为基础合成原材料，在电阻炉中加温反应合成。在其中添加木屑是以便使块状混合物在高溫下产生多孔化合物，便于反应造成的很多气体和挥发物从中排出来，防止产生爆裂，由于合成IT碳化硅，将产生约1.4t的一氧化碳(CO)。工业盐(NACl)的功效是有利于去除材料中存有的氧化铝、氧化铁等杂质。
(一)合成和使用碳化硅。
碳化硅冷凝器的合成是在一种特殊的电阻炉中开展的，这种炉子实际上仅仅一根石墨电阻加热体，它是用石墨颗粒物或碳颗粒物堆积成立柱状的。这种加热体放到正中间，上边的原材料按52%~54%硅石，焦炭35%，木屑11%，工业盐1.5%~4%匀称混和，填充在石墨加热体的四周。当通电加热后，混合物就发生化学反应，产生碳化硅。它的反应式为：
SiO2+3C→SiC+2CO↑。
反应的起始温度约为1400℃，产品为低温β-SiC。基晶很小。它可以稳定到2100℃，然后慢慢转化为高温α-SiC。α-SiC可以在2400℃下稳定，无需显著分解。当温度在2600℃以上时，它会升华并分解，从而挥发硅蒸气留下残留的石墨。因此，通常选择最终温度为1900~2200℃。反应合成产品为块状晶体聚合物，需要粉碎成颗粒或不同粒度的粉末，并去除杂质。
